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三星电子完成HKMGDDR5内存颗粒批量出货,已应用于芝奇TridentZ52022-9-19 编辑:采编部 来源:互联网
导读:三星电子于去年开始将 DDR5 DRAM 商业化,这是在行业中首次应用 High-K Metal Gate (HKMG) 工艺开发的 DRAM 技术。分析机构 Tech Insights 表示,三星电子已经向芝奇(G.Skill)提供了基于高 K 金属栅极(HKMG)技术......
三星电子于去年开始将 DDR5 DRAM 商业化,这是在行业中首次应用 High-K Metal Gate (HKMG) 工艺开发的 DRAM 技术。 分析机构 Tech Insights 表示,三星电子已经向芝奇(G.Skill)提供了基于高 K 金属栅极(HKMG)技术的 DDR5 DRAM 内存颗粒。 “我们已经确认三星电子的 HKMG DDR5 DRAM 应用于芝奇 Trident Z5 系列产品中”。该机构还预计 HKMG 将成为下一代 DRAM 行业的新标准。 TechInsights 一直在拆解市场上的各种 IT 产品,并分析设备中嵌入的芯片信息。通过这次拆解,TechInsights 揭示了三星电子 HKMG DDR5 DRAM 的量产产品,并放出了其内部电路照片。 三星电子于去年 3 月首次宣布 DDR5 DRAM 开发成功,在业界首次实现 HKMG 工艺大规模应用。据介绍,DDR5 数据处理速度是 DDR4 的两倍,起步就能到 4800MHz,而且容量也会得到提升,但延迟相对上升。 HKMG 技术传统上应用于逻辑半导体器件,与传统材料技术相比,HKMG 可明显改善漏电情况,三星方面曾表示该技术可减少内存功耗约 13%,对注重能源效率的数据中心等应用有重要意义,不过三星并未披露内存的实际商业化情况,只是表示,“我们计划在下一代中根据客户需求及时将内存商业化。 本文关键词: 本文为【广告】 文章出自:互联网,文中内容和观点不代表本网站立场,如有侵权,请您告知,我们将及时处理。 |
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