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“:DRAM” 的搜索结果,共找到 8 条相关内容

: 当存储行业被传统“缩小线宽”的路径反复拉扯多年,一个核心矛盾始终困扰着研发者:线宽越小,控制电荷存储电容的难度越剧升。电容本质上依赖电荷分布,单靠拉细工艺线宽很难突破物理极限,......

三星电子于去年开始将 DDR5 DRAM 商业化,这是在行业中首次应用 High-K Metal Gate (HKMG) 工艺开发的 DRAM 技术。分析机构 Tech Insights 表示,三星电子已经向芝奇(G.Skill)提供了基于高 K ......

Netac 朗科科技今天宣布首批 DDR5 DRAM 内存颗粒已抵达朗科研发总部,朗科正式进入 DDR5 内存研发阶段。IT之家了解到,此批到达的颗粒为 Micron DDR5 ES,IC 编号为 Z9ZSB,根据 Micron 官网查询......

本周三,三星电子公布第一季度财报指引。受益于智能手机和电视的热销,三星电子今年第一季度(1至3月)盈利可能增长44%。不过,由于今年2月美国德州暴雪令三星当地工厂停工,三星电子的芯片部门......

6月2日,专业市场分析机构“TrendForce集邦咨询”向观察者网提供的一份研究报告显示,受益于多项终端应用需求上涨,各种零部件备货强劲,全球晶圆代工产能自2020年起便供不应求,各厂纷纷调涨晶......

美光日前宣布, 2021 财年(2020 年 9 月至 2021 年 8 月)资本支出将超过 95 亿美元,这比早些时候提出的90 亿美元目标增加了 5 亿美元。据悉,增加部分主要是美光向ASML采购极紫外(EUV)光刻......

Versal ACAP 系列最新成员可在单个平台上,为数据中心和网络运营商提供无与伦比的高速存储器、安全连接以及灵活应变的计算2021 年 7 月 15 日,中国北京 —— 赛灵思公司(Xilin......

12 月 12 日消息,根据外媒 VideoCardz 报道,英特尔今日发表文章,公布了突破摩尔定律的三种新技术。这些技术的目标是在 2025 年之后,还能够使得芯片技术继续发展。在在 2021 年 IEEE 国际电子......

 
 
英特尔公布突破摩尔定律新技术:3D堆叠芯片互联密度提升十倍

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